POLOVODIČE / FET N-kanál
60V 115mA/25°C 75mA/75°C 7500mO *S -55+150°C
60V 300mA/25°C 190mA/100°C *S -55+150°C toff
60V 115mA/25°C 75mA/75°C 7500mO *S -55+150°C
60V 300mA/25°C 190mA/100°C *S -55+150°C toff
60V 115mA/25°C 75mA/75°C 7500mO *S -55+150°C
60V 340mA/25°C 215mA/100°C *S -55+150°C toff
30V 0.0065A/25°C TO92 -55+150°C 350mW/Ta25°C
30V 0.0065A/25°C TO92 -55+150°C 350mW/Ta25°C
12V 30mA N-FET dual gate SOT143 -55+150°C
12V 30mA N-FET dual gate SOT143 -55+150°C
±25V 10mA 250mW N-FET rozsah pracovních
200V 0.25A 14 Ohm/10V/200mA -55+150°C NMOS TO92
200V 0.25A 6,4Ohm/10V/200m -55+150°C 0,35W
200V 0.23A/25°C 8000mO/1.8V pás -55+150°C
SOT23 FET N 50V 0.1A 15 Ohm -55+125°C rozsah
250V 310mA/25°C 1250mA/10ms 5000mO -55+175°C
200V 660mA/25°C 530mA/70°C 3500mO -55+150°C
TMOS 100V 6O/100mA 20/40ns 0,3W -55+150°C
TMOS 100V 6O/100mA 20/40ns 0,3W -55+150°C
TMOS 100V 6O/100mA 20/40ns 0,3W -55+150°C
50V 200mA 5.6 Ohm 0.225mW SOT23 *L -55+155°C
50V 200mA 5.6 Ohm 0.225mW SOT23 *L -55+155°C
Vds=250V, Rds=30O, Idss=0.03A rozsah